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二氧化碳培養(yǎng)箱加濕操作及水盤(pán)污染控制
更新時(shí)間:2015-01-26   點(diǎn)擊次數(shù):1760次

細(xì)胞培養(yǎng)所需的條件:37度的溫度;5%二氧化碳濃度;環(huán)境濕度大于95%;溫度可以通過(guò)PID控制;二氧化碳濃度可以通過(guò)紅外傳感器進(jìn)行控制,如何來(lái)控制內(nèi)部濕度?

二氧化碳培養(yǎng)箱內(nèi)通常采用兩種方式控制箱體內(nèi)濕度。一是采用被動(dòng)控濕法,即通常的二氧化碳培養(yǎng)箱內(nèi)均放置一個(gè)3L的水盤(pán),內(nèi)盛3L無(wú)菌純水,37度的溫度,水自然蒸發(fā),使箱體內(nèi)濕度達(dá)到95%。二是一些的二氧化碳培養(yǎng)箱,采用主動(dòng)加濕系統(tǒng)(蒸汽發(fā)生器,加熱水盤(pán),噴霧器等),可以控制箱體內(nèi)的濕度,如低溫培養(yǎng)時(shí)就需要主動(dòng)加濕的方法。


水盤(pán)污染控制問(wèn)題

這種高濕度條件下,放置在箱體內(nèi)部的水盤(pán)中的純凈水,很容易造成微生物的滋生,產(chǎn)生污染,導(dǎo)致細(xì)胞培養(yǎng)*失敗。提醒采取主動(dòng)加濕的情況下是不會(huì)存在水盤(pán)污染問(wèn)題的。

目前,控制水盤(pán)內(nèi)污染的方法有如下幾種:

1、定期(至少每?jī)芍芤淮?,更換水盤(pán)內(nèi)的無(wú)菌蒸餾水或無(wú)菌去離子水。

2、在水盤(pán)內(nèi)添加適量硫酸銅,配制方法:20g無(wú)水硫酸銅+5ml濃硫酸+1L滅菌純水。

3、夏季氣溫高時(shí),水盤(pán)里加0.02%的疊氮鈉可以有效的預(yù)防真菌污染。

4、水盤(pán)內(nèi)添加適量抗生素。

5、定期為培養(yǎng)箱(含水盤(pán))進(jìn)行一次高溫滅菌。

6、使用的水盤(pán)污染控制試劑,如市面上有些CO2培養(yǎng)箱廠家提供水盤(pán)污染控制的銀離子消毒盒,說(shuō)明書(shū)上描述能有效殺滅600中微生物,能持續(xù)使用6個(gè)月,但此類(lèi)污染控制試劑較常規(guī)方法,存在價(jià)格較昂貴缺點(diǎn)。


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